低溫儲存試驗(yàn) 低溫存儲壽命試驗(yàn) 深圳STT 

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低溫儲存試驗(yàn)


低溫儲存試驗(yàn)原理:低溫下電子元器件的電參數(shù)會發(fā)生變化、材料變脆及其材料冷縮產(chǎn)生應(yīng)力等。使電子元器件 處于低溫環(huán)境下一定時(shí)間,考核電子元器件的電參數(shù)是否發(fā)生變化、材料是否變脆、材料冷縮 產(chǎn)生應(yīng)力有多大等,從而確定電子元器件的抗低溫能力。


低溫儲存試驗(yàn)?zāi)康模簽榱丝己说蜏貙υ嚇拥挠绊懀_定試樣在低溫條件下存儲的適應(yīng)性。該實(shí)驗(yàn)一般用到高低溫 試驗(yàn)箱。



低溫儲存試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn):JESD22-A119、IEC60068-2-1、GJB1864A-2011


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具體檢測項(xiàng)目有-高溫測試、低溫試、快速溫變測試、冷熱沖擊測試、溫度循環(huán)測試、濕熱測試、低氣壓測試、鹽霧測試、復(fù)合鹽霧測試、氙燈老化測試、紫外線老化測試、太陽輻射測試、防水測試、防塵測試、外殼防護(hù)等級測試、臭氧測試、霉菌測試、氣體腐蝕測試、高壓蒸煮測試、結(jié)露測試等。

 

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