薄膜鉑電阻 

概述： 薄膜鉑電阻     薄膜鉑電阻元件（德國(guó)Heraeus薄膜鉑電阻溫度傳感器） 通過(guò)把金屬鉑研制成粉漿，采用感光平板印刷技術(shù)，將
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2016-07-15 10:25:55 點(diǎn)擊39649次
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  • SOKE FEENEY/索克菲尼
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  • 薄膜鉑電阻
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薄膜鉑電阻

 

 

薄膜鉑電阻元件（德國(guó)Heraeus薄膜鉑電阻溫度傳感器）

通過(guò)把金屬鉑研制成粉漿，采用感光平板印刷技術(shù)，將鉑層附著在陶瓷基片上形成鉑膜層，膜厚在2μm以內(nèi)，加上引線，保護(hù)秞經(jīng)過(guò)激光調(diào)阻制造而成。

優(yōu)點(diǎn)：薄膜鉑電阻外形尺寸細(xì)小，抗震性強(qiáng)，長(zhǎng)期穩(wěn)定性好，自動(dòng)化生產(chǎn)使其一致性好，熱響應(yīng)時(shí)間短，熱容量低，復(fù)線性好。

薄膜鉑電阻缺點(diǎn)：工作（采樣）電流較小（1mA），自熱較其它元件大。

薄膜鉑電阻溫度傳感器基本值

   從-200℃至+600℃的基本值（符合DIN EN60751）：

0℃和+100℃之間的平均溫度系數(shù)：3.85×10-3 K-1

薄膜鉑電阻溫度傳感器的基本值按照下列公式計(jì)算：

對(duì)于范圍-200℃至0℃適用公式：

Rt=R0 [1+At+Bt2+C(t-100℃)t3 ]

對(duì)于范圍0℃至850℃ 適用公式：Rt=R0(1+At+Bt2)

A 級(jí)允許誤差：△tin℃=±(0.15+0.002∣t∣)

B 級(jí)允許誤差：△tin℃=±(0.30+0.005∣t∣)

其中：

Rt   溫度為t時(shí)的電阻，單位為：Ohm

R0   0℃時(shí)的標(biāo)稱電阻

t    溫度單位為℃

A =3.9083×10-3℃-1

B =-5.775×10-7℃-2

C =-4.183×10-12℃-4

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薄膜鉑電阻
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