專業(yè)生產(chǎn)古大GDAS51 射頻導納物位開關(guān)
概述：專業(yè)生產(chǎn)古大GDAS51 射頻導納物位開關(guān)應用于液體、固體粉末測量，復雜過程條件。
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一、產(chǎn)品原理及應用
射頻導納的探測極棒與金屬容器罐壁之間具有電容特性，由此構(gòu)成一個電橋電路，振蕩電路產(chǎn)生的射頻振蕩信號加在這個電橋上。當被測介質(zhì)未接觸到探測極棒時，電橋處于平衡狀態(tài)，沒有輸出信號。而當被測介質(zhì)填充到探測極棒與罐壁之間時，由于被測介質(zhì)的電特性與空氣不同，會引起電橋電路的不平衡，從而產(chǎn)生輸出信號�？蓱糜谝后w、固體等復雜過程條件的測量。
二、產(chǎn)品參數(shù)探測組件材料： PPS/不銹鋼 316L 過程溫度： -50～150°C
過程壓力： -1.0～64bar
信號輸出： 一個單刀雙擲繼電器，
接點容量 250V/5A
過程連接： G¾A
長度： 0.4～3m; 0.3～10m
供電方式： 24V DC±10% 220V DC±10%
三、 GDAS51系列射頻導納物位開關(guān)選型表|
GDAS51 |
選型代碼 |
說 明 |
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儀表種類 |
A |
高精度、高穩(wěn)定性 |
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B |
高穩(wěn)定性 |
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C |
中等普通工業(yè)用 |
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D |
一般工業(yè)用 |
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供電電壓 |
A |
24V |
|
B |
220V |
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電纜進線 |
M |
M20×1.5 |
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N |
½NPT |
|
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T1 |
特殊要求 |
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現(xiàn)場顯示 |
A |
帶 |
|
X |
不帶 |
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T2 |
特殊要求 |
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帶散熱片/過程溫度 |
A |
帶/-40 C....+150 °C |
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X |
不帶/-40 C....+80 °C |
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T3 |
特殊要求 |
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長度（mm） |
A |
四位數(shù)字 |
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T4 |
特殊要求 |
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