BEST-300C四探針電阻率測(cè)試儀北廣精儀 

Rr=V;R,/V=V/I,……… R,=V,R,/V_=V,/I,-
電阻測(cè)量范圍：
對(duì)于薄層厚度小于3μm的試樣，選用針尖半徑為 100 μm~250 μm的半球形探針或針尖率徑為50 μm～125 pm平頭探針，針尖與試樣間壓力為0.3 N~0.8Ni對(duì)于薄層厚度不小于3μ的試樣，選用針尖半徑為 35 μm~100 pm 半球形操針，針尖與試樣間壓力不大于0.3 N.
當(dāng)直接測(cè)量電流時(shí)，采用式（1）、式（2）最右邊的形式。對(duì)于仲載測(cè)量，R，與R，之差的絕對(duì)值必須小于較大值的 5%。
電阻：1×10-5～2×105Ω
R-——通過(guò)正向電流時(shí)試樣電阻，單位為歐姆（n）; R，——通過(guò)反向電流時(shí)試樣電阻，單位為救姆（O）; 1，——通過(guò)試樣的正肉電流，單位為毫安（mA）; I，——通過(guò)試樣的反向電流，單位為毫安（mA）;
光照、高頻、需動(dòng)、強(qiáng)電磁場(chǎng)及溫醒度等測(cè)試環(huán)境會(huì)影響測(cè)試結(jié)果，
GB/T 14141-2009 硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的測(cè)定.直排四探針?lè)?br />
探針與試樣壓力分為小于0.3 N及0.3 N~0.8N兩種。
試劑氫氰酸，優(yōu)級(jí)純，純水，25 ℃時(shí)電阻率大于 2 MN·cm。 
R(TD=R_×F式中∶
本方法對(duì)于薄層厚度不小于3μm的試樣，多實(shí)驗(yàn)室測(cè)量精密度為士12%（R2S）;對(duì)于薄層厚度小于 3 μm 的試樣，多實(shí)驗(yàn)室測(cè)量精密度為±10%（R2S）。 
標(biāo)配：測(cè)試平臺(tái)一套、主機(jī)一套、電源線數(shù)據(jù)線一套。
R-——通過(guò)正向電流時(shí)試樣電阻，單位為歐姆（n）; R，——通過(guò)反向電流時(shí)試樣電阻，單位為救姆（O）; 1，——通過(guò)試樣的正肉電流，單位為毫安（mA）; I，——通過(guò)試樣的反向電流，單位為毫安（mA）;
化學(xué)實(shí)驗(yàn)室器具，如;塑料燒杯，量杯和適用于酸和溶劑的涂塑懾子等。試樣制備如試樣表面潔凈，符合測(cè)試條件可直接測(cè)試，否則，按下列步驟清洗試樣后測(cè)試∶試樣在甲醇中源洗1min。如必要，在甲醇中多次源洗，直到被干燥的試樣無(wú)污跡為止。將試樣干燥。 放入氫氟酸中清洗1 min。 用純水洗凈。 用甲醇源洗干凈， 用氮?dú)獯蹈伞?br /> 勢(shì)止白F=F，×F…………………………（ 4） F= F;×F。式中;
當(dāng)直接測(cè)量電流時(shí)，采用式（1）、式（2）最右邊的形式。對(duì)于仲載測(cè)量，R，與R，之差的絕對(duì)值必須小于較大值的 5%。
誤差：±0.2%讀數(shù)±2字
范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用直排四探針測(cè)量硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的方法。
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類中，四探針?lè)ㄉ婕暗桨雽?dǎo)體材料、金屬材料試驗(yàn)、絕緣流體、獸醫(yī)學(xué)、復(fù)合增強(qiáng)材料、電工器件、無(wú)損檢測(cè)、集成電路、微電子學(xué)、土質(zhì)、土壤學(xué)、水質(zhì)、電子顯示器件、有色金屬。
恒意源，按表1的推薦值提供試樣所需的電流，精度為±0.5%.
樣品臺(tái)和操針架樣品臺(tái)和探針架應(yīng)符合 GB/T152 中的規(guī)定。 樣品臺(tái)上應(yīng)具有旋轉(zhuǎn) 360"的裝置。其誤差不大于士5"，測(cè)量裝置測(cè)量裝置的典型電路叉圖1，
V，——通過(guò)正向電流時(shí)試樣兩端的電位差，單位為毫伏（mV， V，—通過(guò)反向電流時(shí)試樣兩端的電位差，單位為毫伏（mV）;
F�！�——探針修正因子; F，——限定直徑試樣修正因子。
探針（帶有彈簧及外引線）之間或探針系統(tǒng)其他部分之間的絕緣電照至少為10°Ω. 探針排列和間距，四探針應(yīng)以等距離直線排列，探針閥距及針突狀況應(yīng)符合 GB/T 552中的規(guī)定。
s=號(hào)（二【R，（TD-瓦（7D羽yt ..
雙刀雙撐電位選擇開關(guān)。
接通電流，令其任一方向?yàn)檎�向，調(diào)節(jié)電流大小見表1所給出的某一合適值，測(cè)量并記錄所得數(shù)據(jù)。所有測(cè)試數(shù)據(jù)至少應(yīng)取三位有效數(shù)字。 改變電流方向，測(cè)量、記錄數(shù)據(jù)。關(guān)斷電流，搶起探針裝置，對(duì)仲裁測(cè)量，探針間距為1.59 mm，將樣品分別旋轉(zhuǎn)30°±5'，重復(fù)8.4～~8.7的測(cè)量步驟，測(cè)5組數(shù)據(jù)，測(cè)量結(jié)果計(jì)算
干擾因素探什材料和形狀及其和硅片表面接觸是否滿足點(diǎn)電流源注人條件會(huì)影響測(cè)試精度。 
GB/T 1551-1995 硅、鍺單晶電阻率測(cè)定 直流兩探針?lè)?br /> 試驗(yàn)報(bào)告應(yīng)包括以下內(nèi)容∶試樣編號(hào); 試樣種類; 試樣薄層厚度;測(cè)試電流; 測(cè)試溫度;試樣薄層電阻; 本標(biāo)準(zhǔn)編號(hào); h） 測(cè)量、測(cè)量者和測(cè)量日期。
計(jì)算每一測(cè)量位置的平均電阻 R.，見式（3）。
主機(jī)外形尺寸：330mm*340mm*120mm
標(biāo)準(zhǔn)電阻;按表2的薄層電阻范圍選取所需的標(biāo)準(zhǔn)電，精度0.05 級(jí)
測(cè)量誤差±5%
GB/T 6617-1995 硅片電阻率測(cè)定 擴(kuò)展電阻探針?lè)?br /> 本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)量直徑大于15.9mm的由外延、擴(kuò)散、離子注人到硅片表面上或表面下形成的薄層的平均薄層電阻。硅片基體導(dǎo)電類型與被測(cè)薄層相反。適用于測(cè)量厚度不小于0.2 μm的薄層，方塊電阻的測(cè)量范圍為10A~5000n.該方法也可適用于更高或更低照值方塊電阻的測(cè)量，但其測(cè)量精確度尚未評(píng)估。
計(jì)算每一測(cè)量位置的平均電阻 R.，見式（3）。
V，——通過(guò)正向電流時(shí)試樣兩端的電位差，單位為毫伏（mV， V，—通過(guò)反向電流時(shí)試樣兩端的電位差，單位為毫伏（mV）;
測(cè)量電壓量程：?2mV?  20mV? 200mV?2V?
測(cè)量條件和步驟整個(gè)測(cè)試過(guò)程應(yīng)在無(wú)光照，無(wú)離頻和無(wú)振動(dòng)下進(jìn)行。
甲醇，99.5%。 干燥氮?dú)狻�測(cè)量?jī)x器探針系統(tǒng)操針為具有45"～150°角的圓罐形破化鴨振針，針實(shí)半徑分別為35 μm~100μm.100 μm~
分辨率：  0.1uV  1uV  10uV  100uV
GB/T 11073 硅片徑向電阻率變化的測(cè)量方法提要
電位差計(jì)和電流計(jì)或數(shù)字電壓表，量程為1mV~100mV，分辨率為0.1%，直流輸入阻抗不小
V，———通過(guò)正向電流時(shí)標(biāo)準(zhǔn)電阻兩端的電位差，單位為毫伏（mV）; V�！�—通過(guò)反向電流時(shí)標(biāo)準(zhǔn)電阻兩端的電位差，單位為毫伏（mV）; R，——標(biāo)準(zhǔn)電阻阻值，單位為歐姆（）。
對(duì)于薄層厚度小于3μm的試樣，選用針尖半徑為 100 μm~250 μm的半球形探針或針尖率徑為50 μm～125 pm平頭探針，針尖與試樣間壓力為0.3 N~0.8Ni對(duì)于薄層厚度不小于3μ的試樣，選用針尖半徑為 35 μm~100 pm 半球形操針，針尖與試樣間壓力不大于0.3 N.
電壓表輸入阻抗會(huì)引入測(cè)試誤差。 硅片幾何形狀，表面粘污等會(huì)影響測(cè)試結(jié)果。
對(duì)仲裁測(cè)量，報(bào)告還應(yīng)包括對(duì)探針狀況、電測(cè)裝置的精度、所測(cè)原始數(shù)據(jù)及處理結(jié)果。
測(cè)量精度±（0.1%讀數(shù)）
GB/T 6617-2009 硅片電阻率測(cè)定 擴(kuò)展電阻探針?lè)?br /> 計(jì)算每一測(cè)量位置在所測(cè)溫度時(shí)的薄層電阻（可根據(jù)薄層電阻計(jì)算出對(duì)應(yīng)的電阻率并修正到 23 ℃，具體見表 4），見式（5）。

GB/T 1552-1995 硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直排四探針?lè)?br /> 分辨率：  最小1μΩ
對(duì)于每一測(cè)量位置，計(jì)算正、反向電流時(shí)試樣的電阻值，見式（1）、式（2）。
顯示方式：液晶顯示
接通電流，令其任一方向?yàn)檎�向，調(diào)節(jié)電流大小見表1所給出的某一合適值，測(cè)量并記錄所得數(shù)據(jù)。所有測(cè)試數(shù)據(jù)至少應(yīng)取三位有效數(shù)字。 改變電流方向，測(cè)量、記錄數(shù)據(jù)。關(guān)斷電流，搶起探針裝置，對(duì)仲裁測(cè)量，探針間距為1.59 mm，將樣品分別旋轉(zhuǎn)30°±5'，重復(fù)8.4～~8.7的測(cè)量步驟，測(cè)5組數(shù)據(jù)，測(cè)量結(jié)果計(jì)算
計(jì)算試樣平均直徑D與平均操針間距S之比，由表3中查出修正因子F，也可以見GB/T11073中規(guī)定的幾何修正因子。 9.4 計(jì)算幾何修正因子 F，見式（4）。
Rr=V;R,/V=V/I,……… R,=V,R,/V_=V,/I,-
對(duì)于每一測(cè)量位置，計(jì)算正、反向電流時(shí)試樣的電阻值，見式（1）、式（2）。
將操針下降到試樣表面測(cè)試，使四探行針尖端陣列的中心落在試樣中心1.00mm范圍內(nèi)。 
R_——某位置第i次測(cè)量的平均電阻，i-1，2，3，4，5. 9.6 計(jì)算總平均薄層電阻，見式（6）。
電流換向開關(guān)
將操針下降到試樣表面測(cè)試，使四探行針尖端陣列的中心落在試樣中心1.00mm范圍內(nèi)。 
在中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類中，四探針?lè)ㄉ婕暗桨虢饘倥c半導(dǎo)體材料綜合、金屬物理性能試驗(yàn)方法、、、電工合金零件、特種陶瓷、質(zhì)譜儀、液譜儀、能譜儀及其聯(lián)用裝置、電阻器、半導(dǎo)體集成電路、工程地質(zhì)、水文地質(zhì)勘察與巖土工程、水環(huán)境有毒害物質(zhì)分析方法、電工材料和通用零件綜合、半金屬、元素半導(dǎo)體材料、金屬無(wú)損檢驗(yàn)方法。
量程：1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，1000mA,?
V，———通過(guò)正向電流時(shí)標(biāo)準(zhǔn)電阻兩端的電位差，單位為毫伏（mV）; V�！�—通過(guò)反向電流時(shí)標(biāo)準(zhǔn)電阻兩端的電位差，單位為毫伏（mV）; R，——標(biāo)準(zhǔn)電阻阻值，單位為歐姆（）。
于10*0.電子測(cè)量裝置適用性應(yīng)符合GB/T 1552 的規(guī)定。 歐嬌表，能指示阻值高達(dá) 10°日 的漏電阻. 溫度針o℃～40 ℃，最小刻度為0.1 ℃。
電導(dǎo)率：5×10-6～1×108ms/cm
250 μm 的半球形或半徑為 50 μm~125 μm 的平的圓截面。
R=1(R＋R,)…………………………(3) R2=與（R;＋R，）
………………( 5)
提供中文或英文兩種語(yǔ)言操作界面選擇，滿足國(guó)內(nèi)及國(guó)外客戶需求
用干凈涂題顆子或吸筆將試樣置于樣品臺(tái)上，試樣放置的時(shí)間應(yīng)足夠長(zhǎng)，達(dá)到熱平衡時(shí)，試樣溫度為23 ℃±1℃.
電源：220±10% 50HZ/60HZ 
電阻率： 1×10-6～2×106Ω.cm、
……………………(6 9.7 計(jì)算標(biāo)準(zhǔn)偏差，見式（7），
使用直排四探針測(cè)量裝置、使直流電流通過(guò)試樣上兩外探件，測(cè)量?jī)蓛?nèi)操針之間的電位差，引人與試樣幾何形軟有關(guān)的修正因子，計(jì)算出薄層電阻。
下列文件中的條款通過(guò)本標(biāo)準(zhǔn)的引用商成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。 GB/T 1552 硅、儲(chǔ)單晶電阻率測(cè)定 直排四探針?lè)?br /> 電流輸出：直流電流?0～1000mA?連續(xù)可調(diào)，由交流電源供電。
R（T）-號(hào)>R.（n
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